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半导体冷热一体机做快速温变出现超调该如何处理?

行业新闻 00

半导体芯片快速温变测试,对温度曲线的跟随效果有相应工艺要求。设备发生温度超调,会出现实际温度越过设定点位再回调的现象,温变曲线不符合归档标准,还会给待测芯片引入额外热应力。不少现场人员遇到超调现象,仅简单下调设备输出功率,无法从根源解决问题。超调现象和控制参数、负载状态、换热条件多方面存在关联,本文梳理超调现象对应的诱因,配套现象对照表格,给出分步排查处置思路。

半导体冷热一体机做快速温变出现超调该如何处理?(images 1)

一、快速温变超调现象与对应诱因对照表

超调表现内在诱因对芯片测试带来影响
升温阶段温度向上过冲明显加热输出功率偏大,PID 调节参数适配不佳芯片承受额外高温,温变曲线偏离工艺文件
降温阶段温度向下过冲制冷输出未做约束,接近设定点无降功率动作样品承受超出工艺的低温,引入非预期热应力
空载超调微弱,带样品后超调加重待测样品热容量大,负载发生变化,原有参数不匹配批量测试曲线一致性变差,测试数据离散
超调现象随机出现,时好时坏循环流量波动,换热器换热效率衰减同批次不同测试循环曲线表现不一致

二、分层排查处置流程

控制参数核查调试

设备 PID 参数和测试负载工况匹配度,会直接影响温变跟随效果。设备出厂参数大多基于空载工况整定,接入实际芯片样品负载之后,原有参数不再适配,就容易出现超调。 优先调取设备控制界面,观察温度靠近设定点时功率输出变化。接近目标温度,系统没有自动降低加热或者制冷输出,需要重新整定 PID 相关参数,缩小比例增益、延长积分时间,yizhi输出满功率持续做功。 部分机型自带温变斜率限制、过冲yizhi功能,确认该功能处于启用状态,借助设备自带功能约束功率输出。

负载与工艺程序核查

接入芯片样品之后,整体热容量发生改变,如果工艺设置的升降温斜率设置过高,超出设备在该负载条件下可实现的能力,超调发生概率会提升。 核对工艺程序设定斜率,对比设备满载条件下可实现的温变指标,工艺斜率不要超出设备实际能力。也可以在程序当中增加缓冲过渡段,到达临近温度点位设置缓冲区间,降低功率输出变化带来的冲击。

循环系统工况检查

循环流量不稳定,换热器积垢、过滤器堵塞,换热效率出现波动,也会诱发随机式超调。查看设备循环压力、流量记录,对比历史正常运行数据。 过滤器滤芯出现堵塞则进行更换;换热器存在积灰结垢,开展清洁作业;管路内部存在气泡,执行完整排气操作,保障介质流通状态稳定。

测温采集点位确认

温度采集点位放置位置会影响超调表现。如果仅读取设备本机介质出口温度,和芯片工装实际温度存在偏差,控制系统会持续输出功率,造成工装端出现明显过冲。 条件允许情况下接入外接 PT100 探头,直接采集工装靠近芯片位置温度,使用工装实际温度做闭环控制,减少介质出口与工件之间温差带来的过冲问题。

三、日常减少快速温变超调运维手段

更换工装、改变单次样品装载量之后,重新做空载、带载曲线验证;定期维护过滤器、换热器,维持换热系统性能;重大版本工艺程序更新之后,先做小批量样品试跑,确认曲线合格再开展批量测试。

总结

快速温变测试出现温度超调,来源包含控制参数、工艺程序、循环换热状态、测温采集点位多个方面,不建议直接粗暴降低整机功率输出。按照控制参数、工艺程序、循环工况、测温点位顺序逐项核查调试,完成之后做曲线验证,让温变曲线满足芯片测试归档要求。

半导体冷热一体机做快速温变出现超调该如何处理?(images 2)

FAQ

Q:空载运行几乎无超调,带上芯片样品超调变大是什么原因?

A:样品热容量改变,原有 PID 参数适配空载,带载之后参数不再匹配,需要重新整定调试。

Q:开启过冲yizhi功能之后温变斜率变慢,该如何平衡?

A:在工艺允许区间调整yizhi等级,兼顾曲线跟随效果与温变速率,以工艺文件指标作为判断依据。

Q:频繁排气之后依旧随机超调,优先检查哪些项目?

A:通过核查过滤器堵塞情况、换热器换热效率以及测温点位安装状态。

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