





半导体投入大,制造工序多,为了提高产品的良品率、确保收益,需要在半导体的每个环节进行质量把控,影响产品质量的其中一个重要因素就是温度,温度的稳定性及精准度非常重要,为获得稳定可靠的产品保驾护航。
冠亚循环冷却器和水- 水热交换器为从前端到后端的整体半导体工艺流程提供支持。通过拥有超过16年的温度控制经验以及与各大zhi名主设备机台直接配套经验,我们为半导体客户提供标准产品及用户定制产品、温度控制技术的专业知识以及全球化服务,有助于满足您从铸锭到测试的半导体工艺流程中苛刻的温度要求。
| 型号 | FLTZ-803W | FLTZ-805W | FLTZ-806W | FLTZ-808W | FLTZ-810W |
| 温度范围 | -80℃~+90℃ | ||||
| 控温精度 | ±0.1℃(可定制±0.01℃控温精度设备) | ||||
| 流量/压力 MAX | 7~25L/min 5bar | 12~45L/min 6bar | |||
| 制冷量at-70℃ | 0.6kW | 1kW | 1.5kW | 2kW | 3kW |
| 加热功率 | 2kW | 2kW | 2kW | 3.5kW | 3.5kW |
| 内循环液容积 | 4L | 5L | 6L | 8L | 10L |
| 膨胀罐容积 | 10L | 10L | 15L | 15L | 20L |
| 导热介质 | 氟化液 | ||||
| 进出接口 | Rc1/2 | Rc1/2 | Rc3/4 | Rc3/4 | Rc3/4 |
| 冷却水接口 | Rc3/4 | Rc3/4 | Rc3/4 | Rc1 | Rc1 |
| 冷却水at20℃ | 1.8m³/H | 2.5m³/H | 3m³/H | 5m³/H | 6m³/H |
| 断路器 | 25A | 25A | 32A | 40A | 50A |
| ⼯艺过程温度控制 | 可根据⾃创⽆模型⾃建树算法和串级算法相结合来控制远程⽬标温度(动态控温) | ||||
| 型号 | FLTZ-1002W | FLTZ-1004W |
| 温度范围 | -100℃~+90℃ | |
| 控温精度 | ±0.1℃(可定制±0.01℃控温精度设备) | |
| 流量 MAX | 7~25L/min | 12~45L/min |
| 制冷量at-90℃ | 1.5kW | 3kW |
| 加热功率 | 3.5kW | 5.5kW |
| 内循环液容积 | 5L | 8L |
| 膨胀罐容积 | 10L | 15L |
| 导热介质 | 氟化液 | |
| 导热介质接口 | Rc3/4 | Rc3/4 |
| 冷却水接口 | Rc3/4 | Rc1 |
| 冷却水at20℃ | 50L/min 2bar~7bar | 100L/min 2bar~7bar |
| 断路器 | 32A | 63A |
| ⼯艺过程温度控制 | 可根据⾃创⽆模型⾃建树算法和串级算法相结合来控制远程⽬标温度(动态控温) | |
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